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半导体中的电子状态习题(共25页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上第一篇 半导体中的电子状态习题 1-1、 什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。 解:在一定温度下,价带电子获得足够的能量(Eg)被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。如果温度升高,则禁带宽度变窄,跃迁所需的能量变小,将会有更多的电子被激发到导带中。1-2、 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。解:电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带,即允带和禁带。温度升高,则电子的共有化运动加剧,导致允带进一步分裂、变宽;允带变宽,则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之,温度降低,将导致禁带变宽。因此,Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。1-3、 试指出空穴的主要特征。解:空穴是未被电子占据的空量子态,被用来描述半满带中的大量电子的集体运动状态,是准粒子。主要特征如下:A、荷正电:+q;B、空穴浓度表示为p(电子浓度表示为n);C、EP=-EnD、mP*=-mn*。1-4、 简述Ge、Si和GaAS的能带结构

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