1、（设备技术性能指标及参数、目的、用途、环境要求等）1. 设备用途1.1. *可实现 ITO、SiO2 等氧化物薄膜和 Al、Ti 等金属薄膜的溅射沉积。1.2. *投标厂家提供多种工艺调试和开发的服务。2. 设备规格2.1. 反应腔体：2.1.1. 真空窗口，可观察腔体内部状况。2.1.2. 反应腔体内部包含防镀衬板组。2.2. 反应腔体抽真空模块：2.2.1. *采用进口涡轮分子泵（国际知名品牌例如：Ulvac、CTI 、 Alcatel、Pfeiffer、Edwards 等）或者进口冷凝泵（国际知名品牌例如：Ulvac 、CTI 、Alcatel 、Pfeiffer、Edwards 等）
2、。2.2.2. *采用进口干泵。 （国际知名品牌例如：Edwards、Ulvac、Alcatel、Pfeiffer 等） 。2.2.3. 25min 内，反应腔体可从大气抽真空至 3E-6 Torr。2.2.4. 本底真空： 3E-7 Torr。2.2.5. 配备自动压力控制装置(APC) 。2.3. 磁控溅射靶枪： 2.3.1. *进口磁控溅射靶枪，靶材尺寸不小于 3 英寸，磁性靶枪 1 台，非磁性靶枪 1 台。 （采用国际知名品牌例如：Angstron、AJA 、US、HHV 等）2.3.2. 进口非磁性靶枪 2 台，靶材尺寸不小于 3 英寸。2.3.3. *DC/RF 电源兼容设计，可针
3、对不同材料进行溅射沉积。2.3.4. 可调整靶枪溅射距离。2.3.5. 溅射靶枪具备独立自动开关挡板装置。2.3.6. 靶枪具备独立供气功能。2.4. 直流电源：2.4.1. *进口直流电源 1 台，功率不低于 1kW，可切换供不同磁控溅射靶枪使用。 （国际知名品牌例如：ADL、AE、KRI/HHV 等）2.5. 射频电源：2.5.1. *进口射频电源 1 台，功率不低于 600W，频率为 13.56MHz，可进行全自动匹配，并可切换供不同磁控溅射靶枪使用。 （采用国际知名品牌例如：AE 、ADTEC、SEREN 等）2.6. 芯片基座： 2.6.1. *芯片基座转速可调。2.6.2. *可承
4、载 6“圆形基板或 4x4 cm 玻璃片。2.7. 加热控制系统：2.7.1. *载物盘最高温可达 250，控温精度1 。2.8. 反应气体模块：2.8.1. *工艺气体：至少配置 3 路。2.8.2. *采用进口 MFC，精准度1%。 （国际知名品牌例如：BROOKS、MKS、BRONKHORST 等）2.8.3. 采用美国 Swagelok 气动隔离阀或者电磁隔离阀。2.8.4. 采用 1/4“ SUS316 电抛光 EP 管及 VCR 接头。2.9. 自动控制系统：2.9.1. 全自动智能化控制软件，并可切换为手动控制，可一键控制真空泵抽气及排气以及所有挡板及阀门。2.10. 配套附件：2.10.1. *靶材：ITO（氧化铟锡） ，SiO2（二氧化硅） ，铝，钛3. 工艺要求3.1. *不均匀度5% （6 英寸硅片内沉积厚度为 200 nm 的铝，6 英寸硅片内沉积厚度为 200 nm 的 ITO)。4. 用户培训4.1. 交机安装完成后将免费提供设备操作的训练课程，训练课程包含介绍系统特色、系统架构与说明、系统联机与保养及实际操作训练。4.2. 将提供中文和英文标准作业流程（SOP ）纸本各两份与电子文件。4.3. 提供简易工具箱，以方便未来设备维修使用。5. 交货日期合同签订后 4 个月可以完成交货。
