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设计电力MOSFET和IGBT的驱动电路时应考虑哪些因素？电自207班 宁月 201214010715MOSFET开关损耗小，开关速度快，适用高频；正压驱动：1012V左右；驱动电压负压：MOSFET因为拖尾电流的特性不明显，建议加-2V左右的负压。IGBT导通压降低，耐压高，适用于高压大功率场合。正压驱动：在15V左右，驱动电压负压：IGBT具有拖尾电流的特性，而且输入电容比较大，建议在-5-15V之间，MOSFET驱动电路的要求（1）开通瞬时，提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证快速开通且避免上升沿的高频振荡；（2）导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定使可靠导通；（3）关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断；（4）关断期间驱动电路最好能提供一定的负电压避免受到干扰产生误导通；（5）另外要求驱动电路结构简单可靠，损耗小，最好有隔离。IGBT驱动电路的要求 （1）提供适当的正反向输出电压，使IGBT能可靠地开通和关断。（2）提供足够大的瞬态功率和瞬时电流，使IGBT能迅
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