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精选优质文档-倾情为你奉上mos管的匹配精度1. 电流成比例关系的MOS管，应使电流方向一致，版图中晶体管尽量同向，开关管可以忽略。 2. 配置dummy器件，使版图周边条件一致，结构更加对称。下图是dummy电容的使用。dummy器件的配置：为了使得器件B周边的电特性比较一致，会在版图中加入dummy cell（如图4中右边的电容），尽管它在电路中是多余的。3.在处理匹配性要求高的对管（如差分输入对管）时，采用交叉对称的结构比较好 。下图为晶体管交叉对称：4. MOS器件的匹配主要有四方面影响因素：（1）栅面积：匹配度与有源区面积（S=WL）成反比关系。 （2）栅氧化层厚度：一般薄栅氧化层的管子的匹配度较高； （3）沟道长度调制：管子的不匹配与VGS的不匹配成正比，与沟道长度成反比； （4）方向（orientation）：沿晶体不同轴向制作的管子的迁移率不同，这就会 影响管子跨导的匹配度；把需要匹配的一组管子放在一个cell中 ，避免因旋转cell而产生的方向不匹配 。5，dummy器件的详细讲述： 如果周边环
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