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第七章 硅薄膜材料 提纲 7.1非晶硅薄膜材料 7.1.1非晶硅薄膜的特征及基本性质 7.1.2非晶硅薄膜的制备 7.1.3非晶硅薄膜的缺陷及钝化 7.2多晶硅薄膜材料 7.2.1多晶硅薄膜的特征和基本性质 7.2.2多晶硅薄膜的基本制备 7.2.3多晶硅薄膜的晶界和缺陷 硅材料最重要的形式是硅单晶，在微电子工业和太阳能光伏工业已经广泛应用，受单晶硅材料价格和单晶硅电池制备过程的影响，降低单晶硅太阳电池成本是非常困难的，发展了薄膜太阳电池产品来替代单晶硅电池。 薄 膜 太 阳 电 池非晶硅薄膜太阳电池铜铟锡和碲化镉薄膜电池多晶硅薄膜电池7.1非晶硅薄膜材料 非晶硅是重要的薄膜半导体材料，它具有独特的物理性能，可以大面积加工，因为太阳能光电材料已经在工业界广泛应用，它还在大屏幕液晶显示、传感器、摄像管等领域有重要的应用。非晶硅薄膜电池材料是硅和氢的一种合金，是一种资源丰富和环境安全的材料。一般利用化学气相沉积技术，通过硅烷等气体的热分解，在廉价的衬底上沉积而成。它具有备注方法简单、工艺成本低、制备温度低、可以大面积的制备等优点，已经在太阳电池上 大规模应用。 7.1.1非晶硅薄膜的特征及
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