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微电子工艺基础 第5 章 氧化工艺1微电子工业基础 第5 章 氧化工艺本章（4学时）目标：1、掌握硅器件中二氧化硅层的用途2、熟悉热氧化的机制3、熟悉干氧化、湿氧化和水汽氧化的特点4、掺氯氧化的作用5、氧化膜质量的检测方法微电子工业基础 第5 章 氧化工艺一、旧事重提 1、氧化工艺的定义（*） 2、二氧化硅的结构（*） 3、二氧化硅膜的作用（*） 4、二氧化硅膜的厚度（*） 5、氧化膜的获得方法（*）二、氧化膜的生长方法 1、热氧化生长机制（*） 2、热氧化生长方法（*） 3、热氧化系统和工艺（*）三、氧化膜检验方法微电子工业基础 第5 章 氧化工艺 一、旧事重提1、氧化工艺的定义在硅或其它衬底上生长一层二氧化硅膜。微电子工业基础 2、二氧化硅的结构（1） 概述B 长程无序但短程有序。A 微电子工艺中采用的二氧化硅薄膜是非晶态， 是四面体网状结构。第5 章 氧化工艺 一、旧事重提微电子工业基础 2、二氧化硅的结构（2） 几个概念 本征二氧化硅无杂质的二氧化硅第5 章 氧化工艺 一、旧事重提 微电子工艺基础 硅暴露在空气中，则在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为250埃。 如果需要得到
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