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精选优质文档-倾情为你奉上纳米二氧化钛光催化性能的测试一、 实验导读1. 半导体光催化剂半导体介于导体和绝缘体之间，在未激发的具有能带结构的半导体电子结构中，大多数电子处于价带内，而导带内则因能级较高处于电子缺乏状态。导带和价带的过渡区称为带隙或禁带，其能量之差被称为能隙或禁带宽度，用Eg表示，Eg的大小代表了价带电子跃迁至导带的难易程度。纳米TiO2等半导体的主要特征宽禁带的存在，其优异独特的电、磁、光学等性质的表现也是由于它的存在而导致的。宽禁带半导体其价带上的电子一旦受到一个具有高于其禁带宽度能量hv的光照射后，能使其分子轨道中的电子(e-)离开价带(VB)跃迁到导带(CB)上，并在价带上产生相应的光生空穴(h+)，同时在导带上形成光生电子(e-)。在电场的作用下，两者发生分离，纳米半导体粒子因其尺寸很小，光激发产生的电子和空穴很快到达纳米粒子表面，导致原本不带电的粒子表面的二个不同部分出现了极性相反的二个微区光生电子和光生空穴。价带空穴是良好的氧化剂，导带电子是良好的还原剂，在半导体光催化反应中，与吸附在催化剂表面的污染物分子发生氧化
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