1、联系 QQ1165557537第七节 半导体三极管及基本放大电路一、半导体三极管（一）基本结构半导体三极管(简称晶体管)是在一块半导体上生成两个 PN 结组成，有 NPN 和 PNP 两大类型，其结构和符号如图 87-1 所示。由图可见，它们有三个区，分别称为发射区、基区和集电区。三个区各引出一个电极，分别称为发射极 E、基极 B、集电极 C。发射区和基区之间形成的 PN 结称发射结，基区和集电区之间的 PN结称集电结。晶体管制造工艺的特点是：发射区掺杂浓度高，基区很薄且掺杂浓度很低，集电区掺杂浓度低且结面积比发射结大。这些特点是晶体管具有电流放大能力的内部条件。（二）晶体管的放大原理1晶体管
2、处于放大状态的条件：为了使晶体管具有放大作用，除了结构上的条件外，还必须有合适的外部条件。这就是要求外加电压使发射结正偏，集电结反偏。根据偏置要求，外加直流电源与管子的连接方式如图 8-7-2 所示。2晶体管内部载流子的传输过程：晶体管在放大电路中有三种连接方式(或称组态)，即共发射极、共基极和共集电极接法，如图 8-73 所示。为了分析晶体管的放大原理，简单介绍一下晶体管内部载流子的传输过程。以共射接法的 NPN型管为例(图 8-7-4)。(1)发射区向基区发射电子的过程：由于发射结正偏，发射区的多子(电子)向基区扩散，形成射极电子流 IEN，同时基区的少子(空穴)也会向发射区扩散，形成空穴流 IEP。由于基区掺杂浓度很低，这部分电流可忽略，I EI EN，方向由发射极流出。(2)电子在基区的扩散和复合过程：大量电子流人基区后，继续向集电结方向扩散，在扩散过程中，部分电子与基区的空穴相遇而复合，复合掉的空穴由基极电源来补充，从（三）晶体管的特性曲线
