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Chapter 2Chapter 2 Impurity and defect energy level Impurity and defect energy level in semiconductorin semiconductor在纯净的半导体中掺入一定量不同类型的杂质，并通过对其数量和在空间的分布精确地控制，实现对电阻率和少子寿命的有效控制，从而人为地改变半导体的电学性质，如n 型半导体和p 型半导体。半导体的杂质工程(doping engineering) ：原因：杂质能级的产生晶体的势场的周期性受到破坏而产生附加势场，使得电子或空穴束缚在杂质周围，产生局域化的量子态即局域态，使能带极值附近出现分裂能级杂质能级。 前 言 Eg没有能级本征半导体（intrinsic ）能带：实际半导体（extrinsic ）：1、晶体中晶格位置的原子在平衡位置振动缺陷的出现：点缺陷线缺陷面缺陷空位位错层错2、和晶体基质原子不同的杂质原子的存在杂质的出现：无意掺杂 源材料和工艺有目的控制材料性质有意掺杂杂质和缺陷对能带结构的影响：在半导体的禁带中引入杂质或缺陷能级影响半导体的电、光性质。1、硅、锗
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