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第五章 硅液相外延液相外延（Liquid Phase Epitaxy，LPE） 从过冷饱和溶液中析出固相物质并沉积在单晶衬底上生成单晶薄膜1963年，尼尔松发明，用于外延GaAs物理理论基础：假设溶质在液态溶剂内的溶解度随温度的降低而减少，那么当溶液饱和后再被冷却时，溶质会析出。若有衬底与饱和溶液接触，那么溶质在适当条件下可外延生长在衬底上。 生长 方式 特 点 优 点 缺 点稳态（温度梯度外延生长 ）利用衬 底（低温）与源片（高温）之间 溶液的温度差造成的温度梯度实现 溶质 的外延生长。可生长组 分均匀的厚外延层。厚度不均匀瞬态 每次开始操作前不让衬底与溶液接触。生长0.1 几m的薄外延层 。厚度比稳态法的要均匀得多瞬态LPE，溶液冷却方法： 平衡法、分步冷却法（突冷法）、过冷法、两相法5.1 液相外延生长的原理溶于熔体中的硅淀积在硅单晶衬底上，并形成单晶薄膜。实现淀积：在生长过程中溶于熔体中的硅是过饱和的。熔体，也称熔剂，不是水、酒精等液体，而是低熔点金属的熔体，在这里，硅外延用的熔体是锡，也可用镓、铝。硅在熔体中的溶解度随温度变化而变化。在以锡溶剂中，硅的溶解度随温度降低而减少。
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