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第四章 化合物半导体材料李斌斌化合物半导体材料n III V 族化合物半导体材料n II VI 族化合物半导体材料4.1 常见的III-V 化合物半导体化合物 晶体结构带 隙 niunupGaAs 闪锌矿 1.42 1.31068500 320GaP 闪锌矿 2.27 150 120GaN 纤锌矿 3.4 900 10InAs 闪锌矿 0.35 8.110143300 450InP 闪锌矿 1.35 6.91075400 150InN 纤锌矿 2.05 4400AlN 纤锌矿 6.24 300 14III-V 族化合物半导体性质（1 ）带隙较大带隙大于1.1eV（2 ）直接跃迁能带结构 光电转换效率高（3 ）电子迁移率高高频、高速器件带隙和温度的关系计算：GaAs 300 K 和400 K 下的带隙晶体结构金刚石结构闪锌矿结构纤锌矿结构离子键和极性n 共价键没有极性n 离子键有极性n 两者负电性相差越到，离子键成分越大，极性越强。极性的影响（1 ）解理面密排面（2 ）腐蚀速度B 面易腐蚀（3 ）外延层质量B 面质量好（4 ）晶片加工不对称性4.1.1 GaASn 能带结构n 物理性质n
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