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n 2.1 光生伏特效应光生伏特效应简称为光伏效应，指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间相接触形成势垒，在光照下，激发光生载流子，注入到势垒附近，产生光生电压的现象。势垒型光电探测器与光电导探测器的区别：n 1. 产生光电变换的部位不同n 2. 光电导探测器没有极性，工作时要加电压，结型光电探测器有确定的正负极，加电压或不加电压。n 3. 光电导探测器弛豫时间长，响应速度慢，响应频率带宽小，结型光电探测器响应速度快，频率特性好，另外，雪崩光电二极管与光电三极管都有较大的增益，灵敏度高。 (1) 半导体的PN 结P 型 N 型P 型 N 型EfpEfnEf能级弯曲的原因：q 在热平衡条件下，同一体系具有相同的费米能级q 能级是相对于电子来说的，在经过PN 结时电场力做功，电势能降低q 当扩散与漂移运动达到动态平衡时，结区形成稳定的内建电场，电子克服内建电场力作功扩散，势能升高，形成接触电势。普通二极管单向性原理：n 加正电压，外加电场削弱了内建电场，有利于多数载流子的扩散运动，形成较大的结电流。n 加反电压，外加电场增强了内建电场，有利于少数载流子的漂移运动，形成较小的反
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