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精选优质文档-倾情为你奉上准备N型FZSi，电阻率约为2.5cm。制作前进行了双面抛光，并在0.55%的HF酸溶液中浸泡，去除金属颗粒等杂质B掺杂背面（BS）外延B掺杂，形成P+，制作发射极掩模1PECVD沉积氮化硅，厚度约200nm，作为后道工艺的掩模酸洗1利用去除未经曝光的光刻胶，漏出需要做BSF的区域，并且用BHF（buffered hydrouoric）去除需要做BSF区域的氮化硅氮化硅悬臂，有助于BSF和emitter的隔离0.5m刻蚀1利用HF和HNO3去除BSF区域的Emitter。利用Si的各向异性和氮化硅的各项同性差异可以在相同时间内做到Si和氮化硅的差异性刻蚀，Si被腐蚀的速度大于氮化硅，从而做出氮化硅悬臂P掺杂制作BSF，形成N+。然后利用BHF溶液去除旧的氮化硅层（P掺杂时被污染），在重新PECVD沉积氮化硅层前表面（FS）制绒（Texture）在TMAH（四甲基氢氧化铵）和IPA（异丙胺）水溶液中利用110面的特性刻蚀出金字塔结构。FSF和退火
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