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精选优质文档-倾情为你奉上第十一章 掺杂概述导电区和N-P结是晶圆内部或表面形成的半导体器件的基本组成部分。他们是通过扩散或离子注入技术在晶圆中形成的。本章将具体介绍N-P结的定义，扩散与离子注入的原理及工艺。目的完成本章后您将能够：1. 定义P-N结。2. 画出完整的扩散工艺流程图。3. 描述淀积步骤与推进步骤的不同。4. 列举三种类型的淀积源。5. 画出淀积和推进工艺的典型杂质浓度与深度位置的关系曲线。6. 列举离子注入机的主要部件。7. 描述离子注入的原理。8. 比较扩散与离子注入工艺的优势劣势。结的定义使晶体管和二极管工作的结构就是N-P结。结（junction）就是富含带负电的电子的区域（N 型区）与富含空穴的区域（P型区）的分界处。结的具体位置就是电子浓度与空穴浓度相同的地方。这个概念在扩散结的形成章节中已作过解释。在半导体表面形成结的通常做法是热扩散（diffusion）或离子注入（ion implantation）。掺杂区的形成扩散的概念扩散掺杂工
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