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耗尽型MOSFET简介MOSFET家族分为增强型(EnhancementMode)和耗尽型(DepletionMode)两大类。自上世纪七十年代以来，增强型器件得到了广泛的研究与开发，成为主流的器件种类，广泛应用于CMOS数字电路、BiCMOS/BCD模拟电路、数模混合电路和功率MOS管等。相比之下，耗尽型器件却较少被人关注。但是，耗尽型器件具有一些独特的性能，在实现一些电路拓扑中具有无可比拟的优势。近年来，耗尽型器件日益受到重视，广泛应用于固态继电器、“常开”开关、线形运放、恒流源、恒压源和开关电源等，涵盖了家用电器、消费电子、工业控制、汽车电子、电信设施和航空航天等领域。MOSFET家族如图1所示，MOSFET器件分为增强型和耗尽型两大类。图1.MOSFET家族树增强型器件：当栅极-源极电压V=0V，其导电沟道尚未形成，器件处于关断GS状态。当栅极-源极电压V(+)V时(N沟道)或V(-)V(P沟道)，其导电GSTHGSTH沟道因反型而形成，器件处于开通状态。由于在零偏时，器件处于关断状态，增强型器件又称为“常关”(Normall
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