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一、简介1. 功率半导体器件包括：(1)功率(分立)器件:A.功率二极管；B.功率晶体管:a功率MOS器件，b.IGBT，c.功率BJT；C.晶闸管。功率开关器22.边缘终端的问题：A导通损失随终端区面件包括功率晶体管和晶闸管。2. 功率半导体器件：进行功率处理的半导体器件。3. 功率集成电路：在一个芯片上单片的集成两速增加所对应的电压。分雪崩和齐纳。个或更多个功率器件，或者把一个功率器件同控制电路相集成的情况。21.对于负磨角，只有当磨角角度很大时最大表面场才小于体内。内部接近表面出现电场尖峰。小，导通压降小)应用；阻断特性差；高压亘态的条件:高温反向漏电流大(JR)，温度特性差；导通积的增加而增加；B界面电荷导致击穿能力下降。23.击穿电压：反向电压增加到使反向电流迅a二、aPNP被强N电导调制正向导通，正反馈电压小；单极器件(多子工作，高速)，很难求由于MFBmrb，因此BVfbBV高P比能更高频玉自锁条少子寿咸嗨蟲增益/BV、FBFBRB、+a_T=124.倍增系数Mp=Jp(xd)/Jp(O),Mn=Jn(
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