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沟道长度调制效应MOS晶体管中，栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大，这种效应称为沟道长度调制效应。书P48公式和图。公式只要那两个关于Ua的，和下面的那个延长线的图。体效应：为了保证MOS管正常工作，N管的衬底要接到整个电路的最低电位点，P管的衬底要接到整个电路的最高电位点。于是MOS管的源极与衬底之间存在电位差。而且为了保证沟道与衬底之间的隔离，其PN结必须反偏，则VbsvO;在VbsvO的情况下，沟道与衬底之间的耗尽层会加厚，导致阈值电压Vth增大、沟道变窄及沟道电阻增大，导致Id的减小。这种效应称为“体效应”或“衬偏调制效应”。考虑到体效应的阈值电压Vth为:书P50到51的公式。宽长比：书P47第4点。P51为什么要用两个管子作传输门？当开关控制电压Ug使MOS管导通时，NMOS、PMOS传输信号均存在阈值损失，只不过NMOS发生在传输高电平时，而PMOS发生在传输低电平时。根据NMOS和
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