DIBL效应对小尺寸MOS晶体管阈值电压和亚阈值特性的影响1.MOS晶体管阈值电压阈值电压定义为沟道源端的半导体表面开始强反型所需要的栅压。根据定义它由以下三部分组成：（1）抵消功函数差和有效界面电荷的影响所需的栅压，即平带电压Vfb；（2）产生强反型所需的表面势，即2f；（3）强反型时栅下表面层电荷Qs在氧化层上产生的附加电压，通常近似为-Qb（2f）/Cox。对于MOSFET,阈值电压表示式为：Vt=Vfb+2%-Qb（2f）/Cx需要注意，对于NMOS,f二（KBT/q）ln（NA/Ni）,相应的,Qb=-YCxJ瓦,Y二、qN/Cox；对PMOS,f=-（KeT/q）ln（ND/Ni）,Qb=YCx.Of）,Yp二qN/Cox。Na,Nd是半导体衬底的掺杂浓度。在MOS集成电路的设计和生产中，阈值电压的控制十分重要。大多数应用中需要的是增强型器件，这时对NM0S要求VT0,对PMOS要求VT0。上述要求对PMOS容易达到，对NMOS却很困难。原因是Vfb二ms-Qo/Cx中的Qo总是正的，即-Qo/Cx总是负的，结
