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MOSFET的短沟道效应3第8章MOSFET的短沟道效应MOSFET的沟道长度小于3um时发生的短沟道效应较为明显。短沟道效应是由以下五种因素引起的，这五种因素又是由于偏离了理想按比例缩小理论而产生的。它们是：（1）由于电源电压没能按比例缩小而引起的电场增大；（2）内建电势既不能按比例缩小又不能忽略；（3）源漏结深不能也不容易按比例减小；（4）衬底掺杂浓度的增加引起载流子迁移率的降低；（5）亚阈值斜率不能按比例缩小。（A）亚阈值特性我们的目的是通过MOSFET的亚阈值特性来推断阈值电压到底能缩小到最小极限值。对于长沟道器件而言，亚阈值电流由下式给出W=一卩CV2expLndtVV丁八Y-V)1expdsVt丿(8.1)也可以写成如下的形式WI-卩CV2expDLndtVVYGST1-V1expdsVt丿Vt1expVDsI（8.2）tt式中的C为单位面积耗尽区电容。d8qNa(8.3)8qNV-V
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