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微电子器件课程设计MOS晶体管击穿特性研究班级：微电子0901学号：*姓名：*指导老师：*日期：2012.5.208、目的研究mosfet漏源极击穿特性，主要包括：1. 验证掺杂浓度对MOSFET漏源极雪崩击穿的影响2. 验证栅氧化层厚度对MOSFET漏源极雪崩击穿的影响3. 介绍源漏穿通穿通、工作原理当VDs增大到漏源击穿电压BVDS的值时，反向偏置的漏PN结会因雪崩倍增效应而发生击穿，或在漏区与源区之间发生穿通。这时ID将迅速上升，如图所示。f/v_慘-*6刁0截止区三、通过改变衬底掺杂浓度和栅氧化层厚度，可改变穿电压bvds的值得到不同的输出特性曲线仿真过程首先构建nmos结构源代码如下：goathena#网格定义（创建非均匀网格）# Non-UniformGrid（0.6umx0.8um）linexloc=0.00spac=0.10linexloc=0.20spac=0.01linexloc=0.60spac=0.01#lineyloc
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