你正在下载：《

p阱CMOS芯片制作工艺设计(掺杂工艺参数计算).docx

》 [预览]

格式：DOCX ，页数：20 ，大小：163.81KB ,
资源ID：12764827 下载积分：15 文钱

快捷下载

登录下载

邮箱/手机：
温馨提示：	快捷下载时，用户名和密码都是您填写的邮箱或者手机号，方便查询和重复下载（系统自动生成）。如填写123，账号就是123，密码也是123。
特别说明：	请自助下载，系统不会自动发送文件的哦；如果您已付费，想二次下载，请登录后访问：我的下载记录
支付方式：
验证码：	换一换

加入VIP,省得不是一点点

温馨提示：由于个人手机设置不同，如果发现不能下载，请复制以下地址【https://www.wenke99.com/d-12764827.html】到电脑端继续下载（重复下载不扣费）。

已注册用户请登录：

账号：
密码：
验证码：	换一换
当日自动登录忘记密码？

三方登录：

1: 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。
2: 试题试卷类文档，如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案，请知晓。
3: 文件的所有权益归上传用户所有。
4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
5. 本站仅提供交流平台，并不能对任何下载内容负责。
6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

本文（p阱CMOS芯片制作工艺设计(掺杂工艺参数计算).docx）为本站会员（人***）主动上传，文客久久仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对上载内容本身不做任何修改或编辑。若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私，请立即通知文客久久（发送邮件至hr@wenke99.com或直接QQ联系客服），我们立即给予删除！

p阱CMOS芯片制作工艺设计(掺杂工艺参数计算).docx

p阱CMOS芯片制作工艺设计目录一设计参数要求2二设计内容31：PMOS管的器件特性参数设计计算。32：NMOS管参数设计与计算。43：p阱CMOS芯片制作的工艺实施方案；5工艺流程54光刻工艺及流程图（典型接触式曝光工艺流程为例）105：掺杂工艺参数计算；12P阱参杂工艺计算12 PMOS参杂工艺计算13 NMOS参杂工艺计算13三：工艺实施方案14四、参考资料18五：心得体会194一设计参数要求1.特性指标要求：n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压V=0.5V,漏极饱和电流ITnDsatlmA,漏源饱和电压VW3V，漏源击穿电压BV=35V,栅源击DsatDS穿电压BV225V,跨导g2mS,截止频率f3GHz（迁移率GSmmax卩=600cm2/Vs）np沟多晶硅栅MOSFET:阈值电压V=-1V,漏极饱和电流ITpDsatlmA,漏源饱和电压VW3V，漏源击穿电压BV=35V,栅源击DsatDS穿电压BV=25V,跨导g0.5mS,