温馨提示：由于个人手机设置不同，如果发现不能下载，请复制以下地址【https://www.wenke99.com/d-12781116.html】到电脑端继续下载（重复下载不扣费）。
1: 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。 2: 试题试卷类文档，如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案，请知晓。 3: 文件的所有权益归上传用户所有。 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。 5. 本站仅提供交流平台，并不能对任何下载内容负责。 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
本文（TDDB寿命测试与预测方法.docx）为本站会员（人***）主动上传，文客久久仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对上载内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私，请立即通知文客久久（发送邮件至hr@wenke99.com或直接QQ联系客服），我们立即给予删除！
方法一：高温恒电场栅氧化层TDDB寿命测试实验样品是N阱MOS栅氧化电容，氧化层厚度为12.5nm，加速寿命试验是在135C的高温下通过施以不同的应力条件进行电路图如图一所示，并联电路中的电阻起限流作用，讲两个同种电容并联然后与外接电阻R串联。在高温恒定电场的加速应力的条件下进行试验，R接在高温箱外，其上的电压可直接用电压表测得并联部分置于高温箱中。所需的温度通过高温箱面板控制设置，电压应力通过电压程控。加上应力后通过测量外接电阻R上的电压V来判断电容是否失效，并记录相应的数据。如果V大于或者等于一定的电压值Vo(即漏电流大于或者等于某个特定值时)可判断与之串联的电容样品中有一个或者几个被击穿。通过在试验中施加不同的负电场以MOS栅图一电容电流Ig大于特定值为失效依据，测量推算各电容在应力条件下的寿命值,对同种应力条件下的样品失效时间进行分布拟合。推导得到：1TFTxexp(EJKT)方法二：斜坡电压法评估栅氧化层TDDB寿命实验样品为1umCMOS硅栅工艺监制的电容，采用HP4062C半导体测试系统给予适当的程序，使系统自
Copyright © 2018-2021 Wenke99.com All rights reserved
工信部备案号：浙ICP备20026746号-2
公安局备案号：浙公网安备33038302330469号
本站为C2C交文档易平台，即用户上传的文档直接卖给下载用户，本站只是网络服务中间平台，所有原创文档下载所得归上传人所有，若您发现上传作品侵犯了您的权利，请立刻联系网站客服并提供证据，平台将在3个工作日内予以改正。
