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单晶硅生产工艺窗体底端单晶硅生产工艺 一、 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法 从熔体中生长出棒状单晶硅。 熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成 许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便 结晶成单晶硅。 单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料， 随着国内和国际市场对单晶硅片需求量 的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。 单晶硅圆片按其直径分为 6 英寸、8 英寸、12 英寸（300 毫米）及 18 英寸 （450 毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就 越低。 但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。 单晶硅按晶体生长方法的不同， 分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材， 外延法生长单晶硅薄膜。 直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、 二极管、 外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在 38 英寸。区熔法单晶主要 用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、 变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产
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