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直拉法单晶硅生长技术的现状.doc

直拉法单晶硅生长技术的现状摘要综述了制造集成电路(IC)用直拉硅单晶生长的现状与发展。对大直径生长用磁场拉晶技术,硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程),大直径硅中新型原生空位型缺陷,硅外延片与SOI片,太阳电池级硅单和大直径直拉硅生长的计算机模拟,硅熔体与物性研究等进行了论述。关键词:直拉硅单晶;扩散控制;等效微重力;空洞型缺陷;光电子转换效率;硅熔体结构一、光伏产业的发展趋势,及对硅材料的前景要求,直拉法单晶硅生长技术是现在主流生长技术之一 光伏产业,是一种利用太阳能电池直接把光能转换为电能的环保型新能源产业。由于从太阳光能转换成电能的光电转换装置,是利用半导体器件的“光生伏打效应”原理进行光电转换的,因此把与太阳能发电系统构成链条关系的产业称为光伏产业。光伏产业的链条,包括:硅矿-硅矿石(石英砂)-工业硅(也称金属硅)-多晶硅、单晶硅-晶圆或多晶硅切片-太阳能电池-组件-发电系统。工业硅的纯度,一般为98-99.99%;太阳能级硅的纯度,一般要求在6N级即99.9999%以上。 与其他常规能源相比,光伏发电具有明显的优越性:一是高度的清洁性

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