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硅片清洗技术的状况与发展摘要：在分析硅片表面沾污类型的基础上，对目前硅片主要清洗方法的工作原理、清洗效果、适用范围及清洗对硅片表面微观状态的影响等特点进行研究，指出了硅片清洗工艺的发展趋势。关键词：硅片，玷污类型，硅片清洗，硅片表面微观状态一、序言半导体硅作为现代电子工业的基础材料己有半个世纪的历史，随着亚微米及深亚微米超大规模集成电路(ULSI)遵循着“摩尔定律”迅速发展，设计线宽急剧减小，基体表面的亚微米污物足以导致大量缺陷产生并对生产领域造成一系列影响，给硅片表面质量提出了越来越苛刻的要求。硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等严重影响器件性能，清洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造中总损失的一半。因此，硅片清洗技术成为硅晶片加工和超大规模集成电路工艺研究的一大热点。本文在分析硅片表面污染物基础上，对硅片目前流行的清洗工艺原理作概述，并介绍其最新进展。二、硅片加工表面污染类型半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜
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