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1、 第 1 页 共 9 页 1 模拟电路 基础 09 年复习资料 一、填空题 1在 P 型 半导体中，多数载流子是（ 空隙 ），而少数载流子是（ 自由电子 ）。 2在 N 型 半导体中，多数载流子是（ 电子 ），而少数载流子是（ 空隙 ）。 3 当 PN 结 反 向偏置时，电源的正极应接（ N）区，电源的负极应接（ P）区。 4 当 PN 结 正 向偏置时，电源的正极应接（ P）区，电源的负极应接（ N）区。 5为了保证三极管工作在放大区，应使发射结（ 正向 ）偏置，集电结（ 反向 ）偏置。 6根据理论分析， PN 结的伏安特性为 )1( TUUS eII ,其中 SI 被称为（ 反向饱和 ）

2、电流，在室温下 TU 约等于（ 26mv ）。 7 BJT 管的集电极、基极和发射极分别与 JFET 的三个电极（ 漏极 ）、（ 栅极 ）和（ 源极 ）与之 对应。 8在放大器中，为稳定输出电压 ，应采用（ 电压取样 ）负反 馈 ， 为稳定输出电流，应采用（ 电流取样 ）负反 馈 。 9在负反 馈 放大器中，为提高输入电阻，应采用（ 串联 -电压求和 ）负反 馈 ， 为降低输出电阻，应采用（ 电压取样 ）负反 馈 。 10. 放大器 电路中引入 负反 馈 主 要是为了改善放大器（ 的电性能 ）。 11在 BJT 放大电路的三种组态中，（ 共集电极 ）组态输入电阻最大，输出电阻最小。 （ 共射

3、）组态即有电压放大作用，又有电流放大作用。 12. 在 BJT 放大电路的三种组态中，（ 共集电极 ）组态的电压放大倍数小于 1，（ 共基 ）组态的电流放大倍数小于 1。 13 差分放大电路的共模抑制比 KCMR（ CuAAlg20 ），通常希望差分放大电路的共模抑制比越（ 大 ）越好。 14 从三极管内部制造工艺看，主要有两大特点，一是发射区（ 高掺杂 ），二 是基区很 （ 薄 ）并掺杂浓度（ 低 ）。 15在差分放大电路中发射极接入长 尾 电阻后，它的差模放大倍数 dA 将（ 不变 ），而共模放大倍数 cA 将（ 减少 ），共模抑制比将（ 变大 ）。 16 多级级联放大器中常用的 级间 耦

4、合方式有（ 阻容 ），（ 变压器 ）和（ 直接 ） 耦合 三种。 17 直接耦合放大器的最突出的缺点是（ 零点漂移 ）。 18，集成运放主要由（ 输入级 ），（ 中间放大级 ），（ 输出级 ）和（ 偏置电路 ） 4 部分组成。 19 BJT 三极管 的直流偏置电路通常有（ 固定基流 ）电路和（ 分压式 ）电路两种。 20 负反馈放大电路增益的一般表达式 FAAAf 1 ,当 11 FA 时，这种反馈称 为（ 负反馈 ）；当 11 FA 时，这种反馈称为（ 正反馈 ） 。 21集成运放两个输入端之间的电压通常接近 0，即 0 uu ，将 这种现象称第 2 页 共 9 页 2 为（ 虚短路 ）。

5、22集成运放两个输入端的电 流 通常接近 0，即 0 ii ，将这种现象称为（ 虚开路 ）。 二选择题 1测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（ 截止区 ） 。 1）饱和区 2）放大区 3） 截止 区 2测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（ 放大区 ） 。 1）饱和区 2）放大区 3） 截止 区 3测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（ 放大区 ） 。 1）饱和区 2）放大区 3） 截止 区 4测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（ 饱和区 ） 。 1）饱和区 2）放大区 3） 截止 区 5图示电路中设 VVi 15 , ZD 的稳定电压 VVZ 7 ,具有理想特性，则 ZI

6、 （ 4.5mA ）。 第 3 页 共 9 页 3 1） 4.0mA 2) 4.5mA 3) 6.2mA 4) 7.0mA )( 11 LZZZ RVR VVI 6图示电路中设 ,300,600,12,15 m i nm a xm i nm a x LLii RRVVVV , ZD 的稳定电压 mAImAIVV ZZZ 5,40,6 m i nm a x ,则 限流电阻 R 应选择为 R （ 200 ）。 1） 160 2) 200 3) 250 4) 300 )( m a xm i nm i n1m i nm a xm a x1 LZ ZLZ Z II UURII UU 7图示电路中，当交流

7、电源 sv 为 正 半周时，四个二极管的工作状态为（ 4 ）。 1） 21DD 导通， 43DD 截止 2） 31DD 导通， 42DD 截止 3） 21DD 截止， 43DD 导通 4） 31DD 截止， 42DD 导通 8图示直流电路中，设晶体管的 CEBE VVV ,7.0,69 ( 8.88V )。 1） 5.28V 2) 8.88V 3) 6.54V 4） 7.62V )(,)1(ECCQCCC E QBQCQEbB E QCCBRRIVVIIRR VVI 9 放 大 电 路 如 图 ， 设 晶 体 管 的第 4 页 共 9 页 4 VVVVr BECCbb 7.0,12,3 0 0

8、,49 , 则晶体管的微变等效电阻 ber （ 865 ）。 1) 865 2) 1000 3) 1100 4) 1200 EQTbbbeEB E QBEQCCBBBBIVrrRVVIVRRRV)1(,(212 10 图示镜像电流源的 8,7.0,820,12 21 VUUkRVV BEBECC ,输出的恒流2CI 为（ 12 25A ）。 1） 11.10A 2） 12 25A 3） 16.51mA 4） 20.12A /21 1),( 2 R E FCBECCR E F IIR VVI11图示镜像电流源 VUUkRkRkRVV BEBECC 7.0,4,2,3 4 0,12 2121 ,输

9、出的恒流 2CI 为（ 16.6A ）。 1） 10.1A 2） 11.2A 3） 14.1A 4） 16.6A ),( 212 RRIIR VVI REFCBECCREF 12. 对于如图所示的复合管，设两管工作在放大区，且第 5 页 共 9 页 5 AI B 10,1 0 0 121 。如两管的穿透电流可忽略，则复合管的发射极电流 2EI （ 100mA ）。 1） 90mA 2） 100mA 3） 120mA 4） 300mA )( 1212 BE II 13. 对于如图所示的复合管，设两管工作在放大区，且 krr bebe 1,50 2121 。则复合管的 输入电阻 ber （ 56

10、k ）。 1） 40k 2） 51 k 3） 56 k 4） 70 k )1( 221 bebebe rrr 三画出如下各电路图的 直流通路 、交流通 路 和 微变等效电 路 ,设电路中各电容对交流短路。 四 电路如图所示，假设运放是理想的，试写出电路输出电压 0v 的值。 第 6 页 共 9 页 6 ( VuRRusRRuuuVuRRu sffsfi 8.411,2.1 22 22 20001101 ) 五 请判断图示各电路级间反 馈 的 组态 和极性 （如电压并联正 反 馈 ）？稳定何种输出量（电压量或电流量）？ (电流并联负反馈 ，稳定输出电流 ) （电压串联负反馈 ，稳定输出电压 ）

11、（电压并联负反馈 ，稳定输出电压 ） （电压并联负反馈 ，稳定输出电 压 ） 六 例题 2.4.1 2.4.3 2.4.4 2.5.1 2.6.1 2.6.2 2.7.2 2.7.3 七 . 例题 4.2.1 5.3.1 6.2.1 7.3.1 7.3.2 八 . 习题 2-6 2-8 2-10 2-15 2-16 2-26 九 . 习题 5-2 5-6 5-7 5-9 十 . 习题 6-2 6-4 6-5 6-11 十 一 . 习题 7 9 7-10 第 7 页 共 9 页 7 1、三极管工作在放大状态时，测得三只晶体管的直流电位如图所示。试判断各管子的管脚、管型和半导体材料。（ 12 分）

12、 管脚： e c b 管型： NPN 材料： 硅 管脚： b c e 管型： PNP 材料： 硅 管脚： b e c 管型： NPN 材料： 锗 2、 电路如图 a 所示，设二极管是理想的。（ 8 分） 若输入电压 ui 20sin t (V) 如图 b 所示，试 绘出一周期的输出电压 uO的波形。 3、 （ 10 分 ）电路如下图所示 , 求： 1）画出交流通路 ， 2）计算 Q 点， 3）电压增益 Au， 4）输入电阻 ri,， 5）输出电阻 ro 。 第 8 页 共 9 页 8 4、（ 10 分）如下图所示，已 知 Vcc VEE 12V， Rc 50K， Re 20K， Rb1 4K，

13、 Rb2 16K， R 10K，负载 RL 20K，各三极管的 50， UBEQ 0.7V。 （ 1）试估算静态工作点（ 6 分） （ 2）试估算差模电压放大倍数（ 4 分） 5、分析下图理想运放应用电路，求 vO 与 vi1、 vi2、 vi3 的关系式。 （ 10 分） A1A2A3R2 5 0 kR1 1 0 0 k R f 11 0 0 kR3 2 5 kR4 5 0 kR f 21 0 0 kR5 5 0 kR61 0 0 ki3vovi1vi2v第 9 页 共 9 页 9 6、（ 10 分）试用集成运放 设计 一个运算电路，要求实现以下运算关系： Uo 2Ui1 4Ui2+8Ui3 （ 1） 画出电路图并简要说明设计原理（ 5 分）： （ 2） 列出电路中各参数的相互关系（不需要算出具体数值）（ 5 分）。 7、下图放大电路中，已知三极管 T1、 T2 的 =100， VBE =0.6V， rbe1=1.6k。 rbe2=1.5k。 求中频电压放大倍数 AVS、输入电阻 Ri、输出电阻 RO。 （ 10 分） T1C110 uC210 uR c 13kR b1 190 kR e 11.2kV c c = + 12 Vi+_vo+_vR b1 230 kR b218 0kR e 23.6kRL3.6kT2C e 110 uC310 uRs1.5kVs