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直流激励时霍尔传感器位移特性实验.doc

华南师范大学实验报告实验项目:直流激励时霍尔传感器位移特性实验一、 实验目的:了解霍尔式传感器原理与应用。二、基本原理:金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在垂直于磁场和电流的方向上将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。具有这种效应的元件成为霍尔元件,根据霍尔效应,霍尔电势UHKHIB,当保持霍尔元件的控制电流恒定,而使霍尔元件在一个均匀梯度的磁场中沿水平方向移动,则输出的霍尔电动势为,式中k位移传感器的灵敏度。这样它就可以用来测量位移。霍尔电动势的极性表示了元件的方向。磁场梯度越大,灵敏度越高;磁场梯度越均匀,输出线性度就越好。三、需用器件与单元:霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、15V直流电源、测微头、数显单元。四、实验步骤:1、将霍尔传感器安装在霍尔传感器实验模块上,将传感器引线插头插入实验模板的插座中,实验板的连接线按图9-1进行。1、3为电源5V,2、4为输出。2、开启电源,调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置,再调节Rw1使数显表指示为零。图9-1 直流激励时霍尔传感器位移实验接线图3、测微

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