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模拟电子技术基础-第1章 常用半导体器件题解.doc

第一章 常用半导体器件自 测 题 一、判断下列说法是否正确,用“”和“”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 ( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( ) (6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )解:(1) (2) (3) (4) (5) (6) 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽

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