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1CMOS工艺集成要点生产制造部各区域的划分工艺区域的划分： 光刻部：负责光刻工艺，即通过涂胶、曝光、显影等步骤在硅片上形成各层光刻图形 腐蚀部：负责腐蚀工艺，通过干法腐蚀、湿法腐蚀、去胶清洗等工艺实现各种图形和走线 扩散部：负责热氧化、掺杂、LPCVD工艺 薄膜部：负责注入、溅射、APCVD及PECVD工艺2MOS 硅栅工艺简介( 衬底材料的准备( 阱的形成( 有源区的形成( 隔离技术( 栅的完成( 源漏的制备( 孔和金属工艺( 平坦化工艺( 钝化工艺在线各类工艺监控：条宽测量、电阻测量、膜厚测量、缺陷及颗粒检测34衬底材料的准备 - 硅片的大小根据其直径来确定：5 英寸(厚度为62515um)、6英寸(厚度为67520um)- 硅片的掺杂类型和电阻率：N型（电阻率一般用4-7.cm）、P 型（电阻率一般用15-25 .cm）5衬底材料的准备（续）- 硅片的晶向：MOS器件只选，该晶向Si-SiO2界面电荷少，载流子具有高迁移率- 高可靠性器件往往要求用外延片，其他的一般用抛光片阱的形成P 阱（Well or called Tub）的形成.- 阱的作用是在一种掺杂类型的衬底上（N或P
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