温馨提示：由于个人手机设置不同，如果发现不能下载，请复制以下地址【https://www.wenke99.com/d-14405744.html】到电脑端继续下载（重复下载不扣费）。
1: 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。 2: 试题试卷类文档，如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案，请知晓。 3: 文件的所有权益归上传用户所有。 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。 5. 本站仅提供交流平台，并不能对任何下载内容负责。 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
本文（半导体器件原理-第二章课件.ppt）为本站会员（晟***）主动上传，文客久久仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对上载内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私，请立即通知文客久久（发送邮件至hr@wenke99.com或直接QQ联系客服），我们立即给予删除！
CCZU半导体器件原理Principles of Semiconductor Devices第一章：pn结二极管刘宪云统计物理能带理论双极晶体管pn结二极管肖特基二极管 欧姆接触JFET、MESFET、MOSFET、HEMTp p 从物理到器件从物理到器件引言u同质结与异质结u同型结与异型结半导体器件接触的物理机制：半导体器件接触的物理机制：-平衡时的能带图平衡时的能带图1、金属-半导体界面第一个被研究的半导体器件。可作为整流接触-肖特基势垒，或用作欧姆接触。也可以得到其他许多器件，如MESFET.具有整流特性，广泛用于电子电路的 整流、开关及其他工作中。若再加一 p型半导体，两个p-n 结构成 p-n-p双极晶体管。2、pn结半导体器件基础3、异质结界面4、金属-绝缘体-半导体结构u具有两种半导体各自的pn结都不能达到的优良光电特性u适于制作高速开关器件、太阳能电池及半导体激光器等。u若用氧化物代替绝缘体，可视为M-O-S界面。uULSL中最重要的MOSFET器件的基本结构。o 70年代以来，制备结的主要技术是硅平面工艺。硅平面工艺包括以下主要的工艺技术： 1950年美国人奥尔（R.
Copyright © 2018-2021 Wenke99.com All rights reserved
工信部备案号：浙ICP备20026746号-2
公安局备案号：浙公网安备33038302330469号
本站为C2C交文档易平台，即用户上传的文档直接卖给下载用户，本站只是网络服务中间平台，所有原创文档下载所得归上传人所有，若您发现上传作品侵犯了您的权利，请立刻联系网站客服并提供证据，平台将在3个工作日内予以改正。
