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本章内容 热平衡状态下的p-n结 耗尽区 耗尽层势垒电容 电流-电压特性 电荷储存与暂态响应 结击穿 异质结 p-n结(junction)： 由p型半导体和n型半导体接触形成的结 p-n结最重要的特性是整流性，即只容许电流流经单一方向。右图为一典型硅p-n结的电流-电压的特性当对p-n结施以正向偏压(p端为正)时，随着电压的增加电流会快速增加然而，当施以反向偏压时，随反向偏压的增加几乎没有任何电流，电流变化很小，直到一临界电压后电流才突然增加这种电流突然增加的现象称为结击穿(junction breakdown)外加的正向电压通常小于1V，但是反向临界电压或击穿电压可以从几伏变化到几千伏，视掺杂浓度和其他器件参数而定 热平衡状态下的p-n结 p-n结形成之前，p型和n型半导体材料是彼此分离的，其费米能级在p型材料中接近价带边缘，而在n型材料中则接近导带边缘p型材料包含大浓度的空穴而仅有少量电子，但是n型材料刚好相反。 能带图(band diagram) ：热平衡状态下的p-n结 当p型和n型半导体紧密结合时，由于在结上载流子存在大的浓度梯度，载流子会扩散在p侧的空穴扩散进入n侧，而n侧
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