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emos工艺名词解释CMOS工艺名词解saliside当金属和硅化物接触时会产生一层融合物，叫难融金属硅化物，此及saliside。siliside种工艺，在源漏区淀积（或是叫覆盖？）硅化物，这样一种工艺就叫siliside。poliside也为一种工艺，乃在栅极poly上淀积硅化物。A.M.U原子质量数ADIAfterdevelopinspection显影后检视AEI蚀科后检查Alignment排成一直线，对平Alloy融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值ARC：anti-reflectcoating防反射层ASHER:一种干法刻蚀方式ASI光阻去除后检查Backside晶片背面BacksideEtch背面蚀刻Beam-Current电子束电流BPSG:含有硼磷的硅玻Break中断，stepper机台内中途停止键Cassette装晶片的晶舟CD：criticaldimension关键性尺寸Chamber反应室Chart图表Childlot子批Chip（
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