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西安理工大学研究生课程论文/研究报告课程名称：器件可靠性与失效分析课程代号：050114任课教师：王彩琳题目：CMOS电路结构中的闩锁效应及其防止措施完成日期：2012年_月15日学科：电子科学与技术学号：1108090479姓名：孟照伟成绩：2012年CMOS电路结构中的闩锁效应及其防止措施由于NMOS集成电路和双极型集成电路的功耗电流大，封装密度受到了很大限制，因此CMOS集成电路得到了迅速的发展。CMOS集成电路具有功耗低、噪声容限大的优点，在给定的封装内可容纳更多的电路，目前CMOS集成电路已经成为数字电路、模拟电路以及同一芯片上构成数字、模拟组合电路的首选技术。在当今CMOS成为VLSI关键工艺的同时，CMOS结构中的闩锁效应，则成为至关重要的问题。随着器件尺寸的不断缩小，这个问题更加突出。闩锁效应2(Latchup)又称闭锁、自锁、闸流效应，这种效应是CMOS电路中固有的。是指由于电路的输入端或输出端输入外来的噪声电压，而导致CMOS电路结构中存在着固有的寄生双极型NPN和PNP晶体管形成晶闸管导通，所
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