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全新氪气（87K）方法直接测量薄膜材料的孔径分布介绍介孔二氧化硅薄膜（通常指厚度在300到900纳米的薄膜材料）在传感器、低介电薄膜等众多领域都有着广泛应用。在薄膜中引入介孔有利于进一步降低材料的介电常数。可以说二氧化硅薄膜的介电常数与材料的孔径分布和孔容密切相关，通常情况下，小于10纳米的介孔对于降低薄膜的介电常数能起到重要作用【1,2】。而薄膜中的大于10纳米的孔往往是此类材料研发、制造过程中导致器件制造失败的原因【2】。但是，测量这类薄膜中的孔径分布和孔容却相当不容易。许多试验方法都可用于表征材料孔隙度，如小角X衍射，中子散射（SAXS和SANS）压汞法、扫描电镜和透射电镜、核磁以及气体吸附法。每一种表征方法都有一定的测量孔径范围限制。IUPAC已对其中的区别进行说明【3】。其中气体吸附方法有着较宽的有效孔径分析范围（0.35纳米到100纳米），是最常用的表征方法。气体吸附一般而言，氮气、氩气和氪气在77.35K（液氮温度）或87.27K（液氩温度）的吸附可用以计算多孔材料的比表面积、孔径、孔分布和孔容。其中常用的氮气和氩气方法却不能用于薄膜材料的表征。这
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