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第三章 存储系统(2)1第三章 存储系统(2)4. DRAM 的刷新动态MOS 存储器采用“读出”方式进行刷新。在读出过程中恢复了存储单元的MOS 栅极电容电荷，并保持原单元的内容，所以读出过程就是再生过程。刷新过程：通常，在再生过程中只改变行选择线地址，每次再生一行。依次对存储器的每一行进行读出，就可完成对整个DRAM 的刷新。从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止，这一段时间间隔叫刷新周期。一般为2ms ，4ms 或8ms 。2第三章 存储系统(2)常用的刷新方式有三种：集中式、分散式、异步式(1) 、集中式刷新方式集中式刷新方式的时间分配如图 (a) 所示。3第三章 存储系统(2)在整个刷新间隔内，前一段时间重复进行读写周期或维持周期( 在维持周期内，不进行读写，存储单元保持原有存储内容) ，等到需要进行刷新操作时，便暂停读写周期或维持周期，而逐行进行刷新。例如：对128128 矩阵存储器进行刷新时，刷新的时间相当于128个读周期。在这种情况下，假如读写周期为0.5s ，刷新周期为2ms ，那么总共有4000个周期。其中3872个周期( 共1936s)
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