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第三章 微细加工中的刻蚀和清洗工艺 在微细加工中，刻蚀和清洗处理过程包括许多内容。对于适当取向的半导体薄片的锯痕首先要机械抛光，以除去全部的机械损伤，之后进行化学刻蚀和抛光，以获得无损伤的光学平面。这种工艺往往能去除以微米级计算的材料表层。对薄片进行化学清洗和洗涤，可以除去因操作和贮存而产生的污染，然后用热处理的方法生长Si02(对于硅基集成电路)，或者沉积氮化硅(对于砷化镓电路)，以形成初始保护层。刻蚀过程和图案的形成相配合。在保护膜层上刻出许多小窗，并通过该层保护膜进行注入或扩散，以便形成半导体区。重复这一过程，直到全部形成器件。 进一步的刻蚀和图案形成的工艺，还用于刻蚀单层或多层的金属布线。通常这种工艺是沉积PSG(磷硅玻璃)或氮化硅保护层。最后通过光刻的方法在键合区开孔，供引线的焊接及引出。 刻蚀也包括半导体的化学加工，它是半导体制造工艺的一部分。刻蚀工艺方法 化学刻蚀 包括材料简单地溶解于溶剂中，也包括材料变成可溶的化合物。这个过程有时在高温中以气相的形式完成。 等离子体刻蚀 低温气体刻蚀工艺在制造技术中起着重要的作用。这种技术就是等离子体刻蚀，它是在气体放电中，被刻蚀的材料
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