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第三章 霍尔传感器 7.1 霍尔元件工作原理 霍尔元件是霍尔传感器的敏感元件和转换元件，它是利用某些半导体材料的霍尔效应原理制成的。所谓霍尔效应是指置于磁场中的导体或半导体中通入电流时，若电流与磁场垂直，则在与磁场和电流都垂直的方向上出现一个电势差。图7.1 霍尔效应原理图 一般来说，都是选择半导体材料来做霍尔元件。此外，对厚度 d 选择得越小，KH越高；但霍尔元件的机械强度下降，且输入、输出电阻增加。因此，霍尔元件不能做得太薄。第7章 霍尔传感器 7.2 霍尔元件的基本结构和主要特性参数 7.2.1 基本结构 用于制造霍尔元件的材料主要有Ge（锗）、Si（硅）、InAs（砷化铟）和InSb（锑化铟）等。 1、2控制电流引线端；3、4霍尔电势输出端图7.2 霍尔元件结构图第7章 霍尔传感器 7.2.2 主要特性参数 1输入电阻Ri和输出电阻Ro 霍尔元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻Ri，两个霍尔电势输出端之间的电阻称为输出电阻Ro。 2额定激励电流I和最大激励电流IM 霍尔元件在空气中产生10的温升时所施加的激励电流值称为额定电流I。每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流，它的
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