纳米氧化锌2022/11/27开题报告之组长：成员：1主要内容简介分类合成方法应用现状与发展2氧化锌简介第三代半导体材料 禁带宽度：3.37eV纯氧化锌是N 型半导体 又称宽禁带半导体或高温半导体 SiC,GaN,ZnO,AlN, 金刚石 很多优异的性能 晶体中有填隙原子Zn 和氧空位缺陷， 锌是浅能级缺陷氧空位是神能级缺陷ZnO 的激子束缚能为60meV3氧化锌结构a. 岩盐矿结构b. 闪锌矿结构c. 六方纤锌矿结构4氧化锌性能n 体积效应n 表面效应n 量子尺寸效应n 宏观量子隧道效应n 界面相关效应n 介电限域效应微粒分散在异质介质中由于界面能的存在, 引起体系介电性能增强的现象。当微粒的折射率和介质的折射率相差很大, 微粒表面和内部的场强比入射场强显著增加, 引起的局部场强增加的现象就是介电限域效应。这种纳米微粒的介电限域效应对材料的光吸收、光学非线性、光化学性能等有非常重要的影响。5其晶格中可能产生的本征点缺陷有6 种：氧空位、锌空位、反位氧、反位锌、氧填隙以及锌填隙。从能级角度分类，点缺陷可分为浅能级缺陷和深能级缺陷， 其中深能级对氧化锌的光学性质影响较大。研究认为， 位于
