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硅中氧主要来源于熔融硅与石英坩埚的反应因此直拉硅单晶比区熔硅课件.ppt

123外延的分类 按制备方法分 按反应室分类 按材料异同分 按外延温度分 按反应压力分 按掺杂浓度和导电类型分 按外延厚度和结构分 按外延生长方法4 气相外延(VPE ) 液相外延(LPE ) 固相外延(SPE ) 分子束外延(MBE) 金属有机物化学气相淀积(MOCVD )按制备方法分5汽相外延方式常用来生长Si外延材料、GaAs外延材料等 6将元素的饱和液相溶液与衬底晶体直接接触,处于熔点温度下缓慢降温而析出固相,沿衬底向上逐步转化为外延层。 液相外延主要用于生长制造光电器件所需的化合物外延功能薄层材料 液相外延78广泛地用于获得超薄层异质结外延功能材料,特别是微电子器件所需的各种异质结外延材料。 9n 金属有机化合物化学汽相沉淀(MOCVD) 方式是采用处于液相状态的金属(、族)有机化合物同汽态的氢化物(V 、族)作为沉积源原材料,以热分解反应的方式在衬底沉积、淀积形成外延薄层的一种方法。 MOCVD 方式可以获得-V族、- 族化合物晶层及它们的多元超薄单晶层 10按反应室分类 卧式 立式 桶式11121314按材料异同分15按外延温度分16按反应压力分17按掺杂浓度n 正外延:

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