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第六章 半导体中的非平衡过剩载流子0高等半导体物理与器件第六章 半导体中的非平衡过剩载流子第六章 半导体中的非平衡过剩载流子1 载流子的产生与复合 过剩载流子的性质 双极输运 准费米能级本章内容第六章 半导体中的非平衡过剩载流子2（1）平衡状态半导体考虑直接带间跃迁： 电子-空穴对产生：价带电子跃迁到导带形成导带电子，同时在价带留下空位。 电子-空穴对复合：导带电子落回到价带空位上，使导带中电子数减少一个，同时价带中空穴数减少一个。 热平衡状态，电子、空穴净浓度与时间无关，电子、空穴产生率（Gn0、Gp0）与其复合（Rn0、Rp0）率相等。6.1载流子的产生与复合第六章 半导体中的非平衡过剩载流子3（2）过剩载流子的产生与复合除去热激发，可借助其它方法产生载流子，使电子和空穴浓度偏离热平衡载流子浓度 n0、 p0，此时的载流子称为非平衡载流子（ n、 p），偏离平衡值的那部分载流子称为过剩载流子（n、p）。产生非平衡载流子的方法：电注入（如pn 结）、光注入（如光探测器）等。第六章 半导体中的非平衡过剩载流子4 假设高能光子注入半导体，导致价带中电子被激发跃入导带，产生过剩电子、过剩空
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