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第2章 光电导器件Photoconductive-光敏电阻(PC)利用具有光电导效应的材料（如Si、Ge等本征半导体与杂质半导体，以及CdS、CdSe、PbS等）可以制成电导率随入射光辐射量变化而变化的器件，这类器件被称为光电导器件或光敏电阻，简称PC。问题：什么是光电导效应？物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，引起载流子浓度的变化，从而改变了物质电导率的现象称为光电导效应。2.1 光敏电阻的原理与结构2.2 光敏电阻的基本特性2.3 光敏电阻的变换电路2.4 光敏电阻的应用实例一、光敏电阻的材料及分类本征型光敏电阻：杂质型光敏电阻：本征光电导探测器利用本征光电导效应制成的器件，如硫化镉(CdS)、碲镉汞(Hg1- xCdxTe)、硫化铅(PbS)等。一般在室温下工作，适用于可见光和近红外辐射探测。 杂质光电导探测器利用杂质光电导效应制成的器件，如锗掺汞(Ge:Hg)、锗掺铜(Ge:Cu)、和硅掺砷(Si:As)等。通常必须在低温下工作，常用于中、远红外辐射探测 多晶光电导探测器(自学) 2.1 光敏电阻的原理与结构 2.1 光敏电阻的原理与结构 二. 光敏电阻的基本原理 图2
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