温馨提示：由于个人手机设置不同，如果发现不能下载，请复制以下地址【https://www.wenke99.com/d-14817127.html】到电脑端继续下载（重复下载不扣费）。
1: 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。 2: 试题试卷类文档，如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案，请知晓。 3: 文件的所有权益归上传用户所有。 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。 5. 本站仅提供交流平台，并不能对任何下载内容负责。 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
本文（第二章化学腐蚀法检测晶体缺陷课件.ppt）为本站会员（晟***）主动上传，文客久久仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对上载内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私，请立即通知文客久久（发送邮件至hr@wenke99.com或直接QQ联系客服），我们立即给予删除！
第2 章 化学腐蚀法检测晶体缺陷2.1 半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂2.2 半导体单晶体的缺陷2.3 硅单晶位错的检测2.4 单晶硅中漩涡缺陷的检测2.5 化学工艺中的安全知识2.6 金相显微镜简介v 缺陷检测的意义：v 硅单晶中的各种缺陷对器件的性能有很大的影响，它会造成扩散结面不平整，使晶体管中出现管道，引起p-n 结的反向漏电流增大等。v 而各种缺陷的产生种类和数量的多少与晶体制备工艺和器件工艺有关。v v 检测方法v 晶体缺陷的实验观察方法有许多种，如透射电子显微镜、X 光貌相技术、红外显微镜及金相腐蚀显示（电化学腐蚀法）等方法。v 电化学腐蚀法的特点：v （1 ）设备简单，操作易掌握，较直观，是观察研究晶体缺陷的最常用的方法之一。v （2 ）可以揭示缺陷的类型、数量和分布情况，找出缺陷形成、增殖和晶体制备工艺及器件工艺的关系，为改进工艺，减少缺陷、提高器件合格率和改善器件性能提供线索。2.1 半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂v 一、电化学腐蚀机理v 1 、化学腐蚀：指金属或半导体材料与接触到的物质直接发生化学反应引起的腐蚀。这类腐蚀不普遍、只有在特殊条件下发生
Copyright © 2018-2021 Wenke99.com All rights reserved
工信部备案号：浙ICP备20026746号-2
公安局备案号：浙公网安备33038302330469号
本站为C2C交文档易平台，即用户上传的文档直接卖给下载用户，本站只是网络服务中间平台，所有原创文档下载所得归上传人所有，若您发现上传作品侵犯了您的权利，请立刻联系网站客服并提供证据，平台将在3个工作日内予以改正。
