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集成电路工艺技术讲座第五讲离子注入Ion implantation引言 半导体工艺中应用的离子注入是将高能量的杂质离子导入到半导体晶体，以改变半导体，尤其是表面层的电学性质 注入一般在50-500kev 能量下进行离子注入的优点 注入杂质不受材料溶解度，扩散系数，化学结合力的限制，原则上对各种材料都可掺杂 可精确控制能量和剂量，从而精确控制掺杂量和深度 较小的恒向扩散 掺杂均匀性好，电阻率均匀性可达1% 纯度高，不受所用化学品纯度影响 可在较低温度下掺杂目录 射程和分布 沟道效应 损伤和退火 离子注入机 离子注入的应用 离子注入工艺模拟
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