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BECNNP基极发射极集电极NPN 型PNP集电极基极发射极BCEPNP 型一、结构一、三极管的结构和符号BECNNP基极发射极集电极发射结集电结二、类型有PNP 型和NPN 型；硅管和锗管；大功率管和小功率管；高频管和低频管。BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高BECNNPVBBRBVCcIE基区空穴向发射区的扩散IEP可忽略。IBN进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN ，多数扩散到集电结。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IEN。二、晶体管电流放大原理RcBECNNPVBBRBVCCIE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICN+ICBOICNIBNICN从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICn。一、载流子传输过程 发射、复合、收集电流IBN RcIB=IBN+ IEP -ICBOIBBECNNPVBBRBVCCIEICBOICNIBN二、各极电流关系IE=IEN+ IEP =IBN+ ICN + IEP IC=ICN+ ICBORc 电流分配：
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