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1n RAM：随机访问存储器n SRAM：静态存储器n Static random access memoryn DRAM：动态存储器n Dynamic random access memoryn ROM：只读存储器n Read only memory4.1 存储器的基本原理21. SRAM存储器T1 T4 构成双稳态触发器 数据读出时，X 、Y 译码线为高 数据写入时，I/O 数据准备好，然后X 、Y 译码线为高 特点：速度快、电路复杂3SRAM存储器芯片结构410241位结构芯片内部框图5SRAM芯片的引脚信号SRAM芯片的控制信号：n ADDn 地址信号，在芯片手册中通常表示为A0，A1，A2，。n CSn 芯片选择，低电平时表示该芯片被选中。n WEn 写允许，低电平表示写操作，高电平表示读操作。n Doutn 数据输出信号，在芯片手册中通常表示为D0，D1，D2，。n Dinn 数据输入信号，也表示为D0，D1，D2，。n OEn 数据输出允许信号。6SRAM时序n 读周期：n 地址有效CS有效数据输出CS复位地址撤销n 写周期：n 地址有效CS有效数据有效CS复位（数据输入
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