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半导体材料的光吸收若入射光能量为I0 ，则在距离入射表面x处，光的能量为 为物体的吸收系数，表示光在物体中传播I/ 时，能量因吸收而衰减到原来的1/e半导体材料的吸收系数较大，一般在10-5cm-1以上。半导体材料的光吸收 若吸收的能量大于半导体材料的禁带宽度，就有可能使电子从价带跃迁到导带，从而产生电子空穴对，这种吸收为本征吸收。 半导体材料中光的吸收导致了非平衡载流子产生，总的载流子浓度增加，电导率增大，称为半导体材料的光电导现象。半导体材料的光吸收本征吸收直接跃迁半导体中价带中的电子跃迁到导带上时动量不变。直接带隙半导体：砷化镓间接跃迁半导体中价带中的电子跃迁到导带上时动量发生变化。间接带隙半导体：硅，锗通常，间接带隙半导体的吸收系数要比间接带隙半导体的吸收系数低2 3 个数量级。半导体材料的光吸收半导体吸收本征吸收激子吸收载流子吸收杂质吸收晶格吸收光子能量小于禁带宽度时，依然有可能存在吸收。
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