第二章 制造工艺本章分为四部分:1.制造工艺概述2.设计规则3.IC封装4.数字集成电路工艺的未来趋势紫外线光掩模版光刻胶可进行掺杂,离子注入，扩散等工艺2.1引言n 版图是集成电路从设计走向制造的桥梁，它包含了集成电路尺寸、各层拓扑定义等器件相关的物理信息数据。n版图(Layout)集成电路制造厂家根据这些数据来制造掩膜。 掩模版的作用n掩膜上的图形决定着芯片上器件或连接物理层的尺寸。因此版图上的几何图形尺寸与芯片上物理层的尺寸直接相关。 设计规则n 由于器件的物理特性和工艺的限制，芯片上物理层的尺寸进而版图的设计必须遵守特定的规则。n 这些规则是各集成电路制造厂家根据本身的工艺特点和技术水平而制定的。n 因此不同的工艺，就有不同的设计规则。厂家提供设计规则n 设计者只能根据厂家提供的设计规则进行版图设计。n 严格遵守设计规则可以极大地避免由于短路、断路造成的电路失效和容差以及寄生效应引起的性能劣化。 2.2 CMOS集成电路的制造N管的立体图单阱工艺双阱CMOS工艺的截面图在CMOS工艺中,它要求把一个N管或P管都建立在同一硅材料上,因此有时我们会在衬底上建立一个称为阱的特殊区域,
