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第一章-硅和锗的化学制备课件.ppt

半导体材料杨树人 王宗昌 王兢 编著 课程成绩40%:平时成绩(作业、出勤、课上表现、笔记)60%:期末考试考试内容以课本,上课ppt,作业为主参考书目:半导体材料王季陶 刘明登主编 高教出版社 半导体材料浅释万群 化学工业出版社半导体材料邓志杰 郑安生 化学工业出版社绪论根据物质的导电性,物质可以分为哪几种?集成电路中主要研究的是哪种?原因是什么?一 半导体的主要特征 电阻率:10-3-109.cm 导体10-3.cm 绝缘体109.cm2.2.负温度系数负温度系数 T升高,电阻率减小,导电能力增强 导体怎样导体怎样?T升高,电阻率增大,导电能力减弱3.具有高热电势4.整流效应5.5.光敏特性光敏特性 6.6.掺杂可以提高导电能力掺杂可以提高导电能力二 半导体材料的发展对于半导体材料的电现象的认识,自十八世纪以来就有了,但是真正巨大的发展却是半个世纪以来的事,两种重要力量推动了这个进程:应用的需求(应用范围,器件需求)制备技术和实验技术的提高(MBE,MOCVD等)1950年,G.K.Teal、J.B.Little直拉法锗单晶1952年,W.G.Pfann区熔提纯技术高纯锗、G.K.

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