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半导体制造工艺第10章平坦化第10章平坦化10.1概述10.2传统平坦化技术10.3化学机械平坦化10.4CMP质量控制10.1概述图 10-1两层布线表面的不平整10.1概述图 10-2多层布线技术10.1概述图10-3平坦化术语10.1概述1)平滑处理：平坦化后使台阶圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著减小，如图10-3b所示。2)部分平坦化：平坦化后使台阶圆滑，且台阶高度局部减小，如图10-3c所示。3)局部平坦化：使硅片上的局部区域达到平坦化。4)全局平坦化：使整个硅片表面总的台阶高度显著减小，使整个硅片表面平坦化，如图10-3e所示。10.2传统平坦化技术10.2.1反刻 反刻平坦化是在起伏的硅片表面旋涂一层厚的介质材料或其他材料（如光刻胶或SOG），这层材料可以填充空洞和表面的低处，将作为平坦化的牺牲层，如图104a所示。然后用干法刻蚀技术进行刻蚀，利用高处刻蚀速率快，低处刻蚀速率慢来实现平坦化。当被刻蚀的介质层达到希望的厚度时刻蚀停止，这样把起伏的表面变得相对平滑，实现了局部平坦化，如图104b所示。图 10-4反刻平坦化10.2传统平坦化技术10.2.2玻璃回流 玻璃回流是对
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