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半导体制造工艺基础第六章第六章 扩散原理扩散原理(下下)上节课主要内容上节课主要内容1、掺杂工艺一般分为、掺杂工艺一般分为哪两步？结深？薄层电哪两步？结深？薄层电阻？固溶度？阻？固溶度？2、两种特殊条件下的费、两种特殊条件下的费克第二定律的解及其特克第二定律的解及其特点？特征扩散长度？点？特征扩散长度？预淀积退火。预淀积：气固相预淀积预淀积退火。预淀积：气固相预淀积扩散或离子注入。扩散或离子注入。Rs：表面为正方形的：表面为正方形的半导体薄层（结深），在平行电流方向半导体薄层（结深），在平行电流方向所呈现的电阻，单位为所呈现的电阻，单位为 /，反映，反映扩散扩散入硅内部的净杂质入硅内部的净杂质总量。总量。固溶度：在平固溶度：在平衡条件下，杂质能溶解在硅中而不发生衡条件下，杂质能溶解在硅中而不发生反应形成分凝相的最大浓度。反应形成分凝相的最大浓度。表面浓度恒定，余误差函数分布表面浓度恒定，余误差函数分布(erfc)。随时间变化：杂质总量增加，扩散深随时间变化：杂质总量增加，扩散深度增加度增加杂质总量恒定，高斯函数杂质总量恒定，高斯函数/正态分布正态分布(Gaussian)。随时间变化：表
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